微腔中的单个半导体量子点：高不可区分光子的明亮源
量子物理
2015-02-03 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本章将讨论实现量子点 (QD) 单光子源的技术与实验方法，该源兼具高输出耦合效率和最高的非后选择光子不可区分度。该系统基于嵌入具有天然光子陷阱的准平面单侧微腔中的超低密度 InAs 量子点，是研究单个量子点量子光发射的理想测试平台。我们将讨论激发条件对单光子发射纯度特别是发射光子不可区分度的影响。虽然在所有测试的激发条件下均观察到高纯度的触发式单光子发射，但在依赖于非共振泵浦至量子点润湿层的实验中，单光子干涉效应几乎消失。相比之下，我们在共振荧光激发条件下观察到近乎完美的单光子不可区分性，这突显了该激发方案在产生接近傅里叶极限的光子波包方面的优越性。作为迈向基于量子点单光子源的固态量子网络的第一步，我们测试了来自远程量子点发射的光子的重叠情况，在准共振激发下获得了约 40% 的非后选择干涉可见度。
引用
@article{arxiv.1502.00160,
title = {Single Semiconductor Quantum Dots in Microcavities: Bright sources of indistinguishable Photons},
author = {C. Schneider and P. Gold and C. -Y. Lu and S. Höfling and J. -W. Pan and M. Kamp},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.00160},
year = {2015}
}
备注
to appear as a book chapter in a compilation "Engineering the Atom-Photon Interaction" published by Springer in 2015, edited by A. Predojevic and M. W. Mitchell