高性能量子点单光子源干涉特性的本征与环境效应

我们报道了基于嵌入准平面GaAs微腔的In(Ga)As量子点的单光子源干涉特性的实验与联合理论研究。使用脉冲间隔为2 ns的共振激光激发，我们发现发射光子的近完美干涉，以及相应的不可区分性 $\mathcal{I} = (99.6\,^{\,+\,0.4}_{-\,1.4})\%$。对于更大的脉冲间隔、准共振激发条件、增加的泵浦功率或升高的温度，干涉对比度逐渐且显著地降低。我们呈现了相关退相干机制的系统研究，并在我们系统的微观模型框架内解释结果。对于严格共振激发，我们表明光子不可区分性与泵浦功率无关，但受虚声子辅助过程的强烈影响，而这些过程在激子Rabi振荡中并不明显。