非相干与相干激发 GaAs 量子点产生的高不可区分单光子
介观与纳米尺度物理
2019-10-23 v2
摘要
半导体量子点正逐步满足光子量子技术的严苛要求。在不同体系中，尺寸超过自由激子玻尔半径的量子点因其高振子强度而引人关注。尽管该特性在腔量子电动力学中备受重视，但关于此类量子点连续发射单光子的不可区分程度以及实现高不可区分性的恰当激发方案仍知之甚少。一个突出例子是通过局域液滴蚀刻获得的 GaAs 量子点，其近期作为纠缠光子对触发源表现优于其他体系。我们在这些量子点上比较了不同单光子激发机制，发现（i）常规通过激发态激发存在“声子瓶颈”且不可区分性差；（ii）严格共振激发与非相干声学及光学声子辅助激发的光子不可区分性均超过 90%。在各激发方案中，光学声子辅助激发可在不牺牲源亮度的同时简便地抑制激光，且具备高光子不可区分性。
引用
@article{arxiv.1901.11251,
title = {Highly indistinguishable single photons from incoherently and coherently excited GaAs quantum dots},
author = {Marcus Reindl and Jonas H. Weber and Daniel Huber and Christian Schimpf and Saimon F. Covre da Silva and Simone L. Portalupi and Rinaldo Trotta and Peter Michler and Armando Rastelli},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.11251},
year = {2019}
}