具有近全同光子不可区分性的 GaAs 量子点共振荧光
介观与纳米尺度物理
2019-05-01 v1 量子物理
摘要
光子量子技术需要可集成且能按需提供单光子和纠缠光子的可扩展量子光源。一个有前景的候选者是通过滴状刻蚀获得的无应变 GaAs/AlGaAs 量子点。此类量子点具有极低的多光子概率和前所未有的光子对纠缠度。然而，不同于通常研究的通过 Stranski-Krastanow 模式获得的 InGaAs/GaAs 量子点，来自这些量子发射器的近全同不可区分光子迄今难以实现。在此，我们通过探索脉冲共振荧光展示了从这些量子发射器按需产生近全同不可区分光子。鉴于 GaAs 量子点中受限激子的短本征寿命，我们展示了原始可见度为 的单光子不可区分性，且无需 Purcell 增强。我们的结果代表了 GaAs 量子点进展中的里程碑，通过证明阻碍这些发射器用作量子通信应用（例如作为量子中继器架构的纠缠源）关键组件的最后一个缺失特性。
引用
@article{arxiv.1901.09721,
title = {Resonance fluorescence of GaAs quantum dots with near-unity photon indistinguishability},
author = {Eva Schöll and Lukas Hanschke and Lucas Schweickert and Katharina D. Zeuner and Marcus Reindl and Saimon Filipe Covre da Silva and Thomas Lettner and Rinaldo Trotta and Jonathan J. Finley and Kai Müller and Armando Rastelli and Val Zwiller and Klaus D. Jöns},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.09721},
year = {2019}
}