半导体超晶格中激子电吸收的精细结构
介观与纳米尺度物理
2017-01-04 v1
摘要
解析研究了在平行于超晶格 (SL) 轴的纵向外部直流电场存在时，周期远小于二维激子 Bohr 半径的半导体层状超晶格中的 Wannier-Mott 激子。在紧束缚近似和绝热近似下导出了激子态和光吸收系数。分别研究了提供空间局域化和扩展的电子与空穴态的强电场和弱电场。显式给出了激子态和激子吸收谱对 SL 参数及电场强度的依赖关系。我们重点关注由高频侧相邻的一系列密集能级形成的基态准二维激子能级的精细结构。这些能级与绝热缓慢的激子纵向相对运动有关，该运动由面内激子态形成的势控制。结果表明，外部电场压缩了精细结构能级，降低了相应光学峰的强度，并增加了激子结合能。讨论了对激子电吸收精细结构进行实验研究的可能性。
引用
@article{arxiv.1606.05728,
title = {Fine structure of the exciton electroabsorption in semiconductor superlattices},
author = {B. S. Monozon and P. Schmelcher},
journal= {arXiv preprint arXiv:1606.05728},
year = {2017}
}