磁场中二维拓扑绝缘体的边缘激子
介观与纳米尺度物理
2016-03-10 v2
摘要
研究了处于面内磁场中的二维拓扑绝缘体的激子边缘态以及微波边缘激子吸收。磁场在电子边缘态中形成一个窄能隙，使得边缘激子得以存在。发现激子结合能远小于一维库仑态的能量。光跃迁存在于偶数激子态上，而奇数激子态是暗态。
引用
@article{arxiv.1512.04733,
title = {Edge excitons in a 2D topological insulator in the magnetic field},
author = {M. V. Entin L. I. Magarill and M. M. Mahmoodian},
journal= {arXiv preprint arXiv:1512.04733},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 3 figures