拓扑激子绝缘体中的栅极可调量子相变
强关联电子
2023-12-12 v1
摘要
在价带与导带重叠的二维（2D）半金属中，电子与空穴间的库仑相互作用可通过激子形成与凝聚产生关联绝缘基态。原子单层二碲化钨（WTe2）是此类激子态与非平凡能带拓扑独特结合的一个候选材料，其中形成二维拓扑激子绝缘体（2D TEI）。然而，WTe2中二维体态能隙形成的详细机制，尤其关于库仑相互作用的作用，一直是持续争论的课题。在此，我们表明WTe2易发生栅极可调量子相变，这由其二维体态能隙在双极性场效应掺杂下的突然坍缩所证实。这种二维TEI向n型与p型半金属的可栅极调控性，有望为具有激子配对的非平凡二维超导提供新颖的控制手段。
引用
@article{arxiv.2309.16260,
title = {A gate-tunable quantum phase transition in a topological excitonic insulator},
author = {Yande Que and Yang-Hao Chan and Junxiang Jia and Anirban Das and Zhengjue Tong and Yu-Tzu Chang and Zhenhao Cui and Amit Kumar and Gagandeep Singh and Hsin Lin and Shantanu Mukherjee and Bent Weber},
journal= {arXiv preprint arXiv:2309.16260},
year = {2023}
}
备注
8 pages, 4 figures, under submission