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Ta$_2$Pd$_3$Te$_5$中存在激子绝缘体态的证据

材料科学 2024-03-15 v2 强关联电子

摘要

激子绝缘体 (EI) 是窄带隙半导体和半金属的一种奇异基态,源于由吸引库仑相互作用束缚的电子 - 空穴对的自发凝聚。尽管对 EI 的研究可追溯至半个世纪前,但其在真实材料中的存在仍是一个备受争议的话题。在本研究中,通过系统的实验和理论调查,我们为范德华化合物 Ta2_2Pd3_3Te5_5中存在 EI 基态提供了证据。密度泛函理论计算表明它是一种具有小能带重叠的半金属,而各种实验则显示出具有清晰能带隙的绝缘基态。当我们将电子 - 空穴库仑相互作用纳入计算时,我们获得了一个 EI 相,其中电子对称性破缺打开了一个多体能隙。角分辨光电子能谱测量表明,随着热激发载流子数量在平衡态和非平衡态下变得足够大,能带隙闭合且色散关系发生显著变化。结构测量揭示了绝缘态下晶体对称性的轻微破缺及极小的晶格畸变,这不足以解释显著的能隙打开。因此,我们将 Ta2_2Pd3_3Te5_5中具有能隙打开的绝缘基态归因于激子凝聚,其中与对称性破缺电子态的耦合诱导了晶体结构的微妙变化。

关键词

引用

@article{arxiv.2312.14455,
  title  = {Evidence for an Excitonic Insulator State in Ta$_2$Pd$_3$Te$_5$},
  author = {Jierui Huang and Bei Jiang and Jingyu Yao and Dayu Yan and Xincheng Lei and Jiacheng Gao and Zhaopeng Guo and Feng Jin and Yupeng Li and Zhenyu Yuan and Congcong Chai and Haohao Sheng and Mojun Pan and Famin Chen and Junde Liu and Shunye Gao and Gexing Qu and Bo Liu and Zhicheng Jiang and Zhengtai Liu and Xiaoyan Ma and Shiming Zhou and Yaobo Huang and Chenxia Yun and Qingming Zhang and Shiliang Li and Shifeng Jin and Hong Ding and Jie Shen and Dong Su and Youguo Shi and Zhijun Wang and Tian Qian},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2312.14455},
  year   = {2024}
}

备注

10 pages, 5 figures