从二维常规绝缘体到激子绝缘体的相变
强关联电子
2023-02-03 v1
摘要
在本文中，首先我们给出一个通用表述，用于研究实际材料中激子绝缘体(EI)的基态和基本激发。此外，我们讨论了常规二维(2D)绝缘体在高强度光照下诱导出的（尽管是瞬态的）非平衡态。接着，我们给出了多种能带结构模型，使我们能够研究在二维材料中从常规绝缘体到EI的相变随介电常数、常规绝缘体带隙（及化学势）、导带和价带带宽以及布拉维晶格原胞尺寸的变化。本研究的目标之一是确定应考虑的这些实验测定参数的范围，以寻找实现激子绝缘体的最佳候选材料。对不同能带结构的EI带隙方程的数值解显示，EI带隙函数 以及零温电子和空穴动量分布在布里渊区内具有显著且有趣的动量依赖性。最后，我们讨论这些特征可通过隧穿显微镜探测到。
引用
@article{arxiv.2302.01230,
title = {Transition to an excitonic insulator from a two-dimensional conventional insulator},
author = {Efstratios Manousakis},
journal= {arXiv preprint arXiv:2302.01230},
year = {2023}
}
备注
12 double column document in pdf and the Latex source files and 7 figures with subfigures