通过解耦激子结合能与最小带隙实现本征激子绝缘体
材料科学
2018-08-29 v1 强关联电子
摘要
直接带隙材料在激子绝缘体方面具有前景。与间接带隙材料相比，此处规避了与 Peierls 电荷密度波难以区分的困难。然而，当带隙趋近于零时，直接带隙材料仍受极化率发散的困扰，导致激子结合能消失。我们提出，在带边态具有相同宇称的材料中，可将激子结合能与带隙解耦。二维 GaAs 和实验上机械剥离的单层 TiS3 的第一性原理计算为这一新原理提供了有力支持。
引用
@article{arxiv.1804.10945,
title = {Realizing intrinsic excitonic insulator by decoupling exciton binding energy from the minimum band gap},
author = {Zeyu Jiang and Yuanchang Li and Shengbai Zhang and Wenhui Duan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1804.10945},
year = {2018}
}
备注
4 figures