GeS 和 GeSe 单层中强束缚的 Mott-Wannier 激子
介观与纳米尺度物理
2016-10-26 v1
摘要
通过从头算 GW-Bethe Salpeter 方程计算预测了单层 GeS 和 GeSe 的激子光谱。针对能带结构的 计算发现，GeS 和 GeSe 单层的 fundamental band gap 分别为 2.85 eV 和 1.70 eV。然而，激子结合紧密，特别是在 GeS 的 点，那里的准粒子相互作用非常强，以至于将 激子峰能量移至可见光范围并低于非 激子峰。两种材料中最低能量的激子均由沿 zigzag 方向的光激发，其激子结合能分别为 1.05 eV 和 0.4 eV；尽管结合力强，但计算出的结合能与 Mott-Wannier 模型一致。
引用
@article{arxiv.1607.07564,
title = {Strongly bound Mott-Wannier Excitons in GeS and GeSe monolayers},
author = {Lidia C. Gomes and P. E. Trevisanutto and A. Carvalho and A. S. Rodin and A. H. Castro Neto},
journal= {arXiv preprint arXiv:1607.07564},
year = {2016}
}