单层 WSe2 中的强束缚激子
材料科学
2015-06-19 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
本文利用线性吸收与双光子光致发光激发光谱相结合的方法，研究了二硒化钨 (WSe2) 单层中的激子结合能与激发态。测得的激子结合能为 0.37eV，比 III-V 族半导体量子阱中的结合能大一个数量级，使得激子激发态甚至在室温下也可被观测到。具有实验确定的一光子和双光子活性态的激子激发谱，不同于简单的二维 (2D) 氢模型。这一结果揭示了二维半导体中库仑相互作用的介电屏蔽显著减弱且具有非局域性。观测到的大激子结合能也将对基于二维原子晶体的下一代光子学和光电子学应用产生重大影响。
引用
@article{arxiv.1406.3095,
title = {Tightly bound excitons in monolayer WSe2},
author = {Keliang He and Nardeep Kumar and Liang Zhao and Zefang Wang and Kin Fai Mak and Hui Zhao and Jie Shan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.3095},
year = {2015}
}
备注
19 pages, 4 figures, to appear in PRL