具有平坦价带的二维半导体中的紧束缚激子
介观与纳米尺度物理
2019-05-17 v2 强关联电子
摘要
本文从理论上给出了具有平坦价带的二维半导体中激子结合能的显式表达式。该公式是在激子紧束缚的假设下以准经典方式推导的；即其基态半径由半导体的本征极化率决定，而非由环境的介电性质决定。该模型适用于近期发现的几种二维半导体，包括具有被认为不稳定电子基态的畸变 1T-TiSe。价带平坦度降低了激子结合能，这也可能对向激子绝缘体的相变产生影响。
引用
@article{arxiv.1905.03260,
title = {Tightly bound excitons in two-dimensional semiconductors with a flat valence band},
author = {Maxim Trushin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1905.03260},
year = {2019}
}
备注
7 pages, published in Phys. Rev. B with minor corrections