半导体表面上 Kagome 晶格的平带激子态
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
本文利用紧束缚模型的精确对角化，研究了由半导体表面量子线形成的 Kagome 晶格系统中的激子性质。结果表明，由于平带的存在，二维 Kagome 晶格中激子的结合能相比一维晶格显著增大，且激子玻尔半径极小，仅为晶格常数量级。我们还讨论了磁场对激子结合能的影响，以及激子在带电激子和双激子产生下的稳定性。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0110360,
title = {Flat-band excitonic states in Kagome lattice on semiconductor surface},
author = {H. Ishii and T. Nakayama and J. Inoue},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0110360},
year = {2009}
}
备注
5 pages, 5 figures