半导体表面上二维 Kagome 平带的非常规平台

在凝聚态物理中，Kagome 晶格及其固有的平带因其有望承载多种奇异物理现象而备受关注。尽管人们付出了巨大努力制备 Kagome 材料薄膜，旨在通过静电门控或应变调控来调制平带，但进展有限。在此，我们报告了在 Ag/Si(111) $\sqrt{3}\times\sqrt{3}$ 系统中通过角分辨光电子能谱观测到一种新颖的 $d$ 轨道杂化 Kagome 衍生平带。我们的研究结果表明，硅衬底上的银原子形成了类 Kagome 结构，其中面内 $d$ 轨道跃迁参数的微妙平衡导致了相消干涉，从而产生平带。这些结果不仅为 Kagome 物理引入了一个新平台，也阐明了将金属 - 半导体界面整合到 Kagome 相关研究中的潜力，从而为探索理想的二维 Kagome 系统开辟了新途径。