单层MoSi$_2$Z$_4$（Z = 磷族元素）中的强束缚激子
介观与纳米尺度物理
2022-07-12 v1 材料科学
量子物理
摘要
二维材料中介电屏蔽的减弱使得束缚激子得以存在，这即使在室温下也改变了其光学吸收和光电子响应。在此，我们证明了在新发现的合成材料MoSiZ（Z = N、P和As）单层家族的带隙中存在激子。所有三种单层均支持多个亮且强束缚的激子，其最低能量激子共振的束缚能介于1 eV至1.35 eV之间。随着泵浦通量增加，激子束缚能发生重整化，导致红移-蓝移交叉。我们的研究表明，MoSiZ单层系列为探索强束缚激子及其非平衡动力学提供了令人兴奋的试验平台。
引用
@article{arxiv.2207.04409,
title = {Strongly bound excitons in monolayer MoSi$_2$Z$_4$ (Z = pnictogen)},
author = {Pushpendra Yadav and Bramhachari Khamari and Bahadur Singh and K. V. Adarsh and Amit Agarwal},
journal= {arXiv preprint arXiv:2207.04409},
year = {2022}
}
备注
10 pages, 5 figures, 2 tables. Comments and suggestions are most welcome