均质极限下单层 MoSe$_2$ 与 WSe$_2$ 中激子的相干动力学与映射
材料科学
2020-03-18 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们对封装在六方氮化硼薄膜之间的 MoSe 和 WSe 单层中激子进行了相干非线性光谱研究。利用四波混频显微镜，我们识别出几乎无无序的区域，其在均质极限下产生激子光学响应。聚焦于此类区域，我们测量了激子均匀展宽随环境因素（即温度和激子密度）的变化。借助 FWM 成像，我们发现在此类位置可观察到激子激发态的非线性吸收及其相干耦合。利用 WSe 异质结构，我们推断了激子 2S 态的相干与密度动力学。由于其辐射寿命增加，在低温下，2S 态的退相干时间长于 1S 跃迁。在跨越数十微米扫描多种异质结构时，我们得出结论：主要由应变变化引起的无序仍然存在，造成了空间变化的非均匀展宽。
引用
@article{arxiv.2002.01436,
title = {Coherent dynamics and mapping of excitons in single-layer MoSe$_2$ and WSe$_2$ at the homogeneous limit},
author = {Caroline Boule and Diana Vaclavkova and Miroslav Bartos and Karol Nogajewski and Lukas Zdrazil and Takashi Taniguchi and Kenji Watanabe and Marek Potemski and Jacek Kasprzak},
journal= {arXiv preprint arXiv:2002.01436},
year = {2020}
}