零带隙 InAs/GaSb 双层中激子绝缘相的证据
材料科学
2017-01-26 v1
摘要
多体相互作用能在凝聚态系统中产生新颖的基态。例如，若激子束缚能超过单粒子态之间的能量分离，相互作用的电子和空穴可自发形成激子（一种中性束缚态）。在此，我们报道了在InAs(10 nm)/GaSb(5 nm)耦合量子阱中实现的空间分离二维电子气和空穴气（其能量子带名义上简并）的电输运测量。我们观察到在电荷中性区四端电阻中出现一个狭窄而强烈的极大值（~500 k\Omega），它分离了类电子和类空穴区域，在T = 7 K以上具有强烈的活化温度依赖性，并且对量子化磁场具有完美的稳定性。通过将我们的数据与早期理论预言定量比较，我们表明，在我们名义上零带隙的半金属系统中这种异常大的电阻可能源于激子绝缘态的形成。
引用
@article{arxiv.1701.07417,
title = {Evidence for an excitonic insulator phase in a zero-gap InAs/GaSb bilayer},
author = {W. Yu and V. Clericò and C. Hernández Fuentevilla and X. Shi and Y. Jiang and D. Saha and W. K. Lou and K. Chang and D. H. Huang and G. Gumbs and D. Smirnov and C. J. Stanton and Z. Jiang and V. Bellani and Y. Meziani and E. Diez and W. Pan and S. D. Hawkins and J. F. Klem},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.07417},
year = {2017}
}