节点线半金属 ZrSiS 中的激子不稳定性与赝能隙形成
强关联电子
2018-06-14 v3 材料科学
摘要
采用第一性原理与模型方法相结合研究了 ZrSiS 中的电子关联效应。我们表明，ZrSiS 的基本电子性质可以在由两个嵌套方晶格构成的二维晶格模型内描述。ZrSiS 特有的高度电子-空穴对称性是该模型的关键特征之一。由第一性原理计算确定模型参数后，我们显式地考虑电子-电子相互作用，并表明在适度低温下 ZrSiS 表现出激子不稳定性，导致电子能谱中赝能隙的形成。该结果可以用库仑相互作用辅助的电子与空穴配对来理解，这让人联想到激子绝缘体中的情形。我们的发现使我们能够对最近实验观察到的 ZrSiS 中载流子异常的质量增强提供物理解释。
引用
@article{arxiv.1712.07916,
title = {Excitonic Instability and Pseudogap Formation in Nodal Line Semimetal ZrSiS},
author = {A. N. Rudenko and E. A. Stepanov and A. I. Lichtenstein and M. I. Katsnelson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.07916},
year = {2018}
}
备注
6 pages, 4 figures. Final version