通过向单层 TiS$_3$ 中掺 Se 实现从能带绝缘体到激子绝缘体的转变：一项计算研究
材料科学
2020-12-02 v1
摘要
采用第一性原理密度泛函理论加 Bethe-Salpeter 方程计算研究了单层三硫属化钛合金 TiSSe（=1 和 2）的电子与激子性质。发现带隙和激子结合能对 Se 替代 S 呈现非对称依赖。尽管与原始 TiS 相比带隙可显著减小，但无论 Se 替代的位置与浓度如何，激子结合能仅略有变化。当中心 S 原子被 Se 原子取代时，发现负的激子形成能，表明存在自发激子凝聚的多体基态。因此，我们的工作为构筑激子绝缘体提供了新见解。
引用
@article{arxiv.2009.12805,
title = {Transition from band insulator to excitonic insulator via alloying Se into Monolayer TiS$_3$: A Computational Study},
author = {Shan Dong and Yuanchang Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2009.12805},
year = {2020}
}
备注
Accepted by PRB