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激子绝缘体的新时代

强关联电子 2024-12-25 v2

摘要

由窄带隙半导体或半金属中电子-空穴关联驱动的激子绝缘体(EI)的基本思想最初于 20 世纪 60 年代提出,并在很长一段时间内仅推进了理论研究。然而,新候选材料的出现和测量技术的最新发展使我们能够在实验上讨论真实材料中 EI 态的可能性。在本文中,我们回顾了 EI 研究的最新进展。我们首先介绍了 EI 的理论背景及其有序形成的机制,包括其与 Bardeen-Cooper-Schrieffer (BCS) - Bose-Einstein 凝聚 (BEC) 交叉物理的关系。我们还回顾了在强关联电子系统背景下研究的 EI 态。然后,我们介绍了 EI 的候选材料以及近期实验提出的问题。例如,几种候选材料中的相变伴随着晶格畸变,而来自电子-晶格耦合的贡献阻碍了对激子实体的识别。我们还回顾了集体模式的轮廓,以讨论 EI 的动力学特征。

关键词

引用

@article{arxiv.2411.10985,
  title  = {A New Era of Excitonic Insulators},
  author = {Tatsuya Kaneko and Yukinori Ohta},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2411.10985},
  year   = {2024}
}

备注

23 pages, 16 figures, invited review paper