面向自旋电子应用的黑磷场效应器件中肖特基势垒的调控
介观与纳米尺度物理
2014-07-07 v2
摘要
黑磷（BP）最近被揭示为一种极具前景的二维直接带隙半导体材料。在此，我们报道了具有铁磁隧道接触的多层 BP 的双极性场效应晶体管行为。通过使用 TiO/Co 接触，我们观察到肖特基势垒降低至 < 50 meV，且可通过栅极电压进一步调节。BP 器件实现了优异的晶体管性能，漏极电流调制幅度达四到六个数量级。在室温下，空穴和电子的载流子迁移率分别约为 155 和 0.18 cm V s。此外，磁阻计算表明，施加栅极电压的 BP 器件电阻处于注入和检测自旋极化空穴的合适范围内。我们的结果展示了为高效纳米电子和自旋电子应用调控 BP 纳米层器件的前景。
引用
@article{arxiv.1406.4476,
title = {Engineering Schottky Barrier in Black Phosphorus field effect devices for spintronic applications},
author = {M. Venkata Kamalakar and B. N Madhushankar and André Dankert and Saroj P. Dash},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.4476},
year = {2014}
}