金属与单层黑磷接触的第一性原理研究
介观与纳米尺度物理
2015-06-23 v1
摘要
原子级厚度的层状黑磷（BP）因其较低的载流子有效质量，最近作为过渡金属二硫属化物的替代品，出现在未来MOS晶体管沟道材料的选择中。研究涉及金属和二维材料的源/漏接触的电子特性至关重要，因为它直接影响晶体管的性能。本文中，我们进行了一项系统且严谨的研究，以评估实验中常用的金属（金、钛和钯）与单层黑磷（mBP）形成的侧接触的欧姆特性。我们采用密度泛函理论（DFT），分析了优化结构中金属-mBP界面的势垒、电荷转移和原子轨道重叠，以理解载流子从金属接触注入mBP沟道的效率。我们的分析表明，与钛和钯相比，金在界面处形成了具有更高隧穿势垒的肖特基接触。mBP与钯的接触被发现是纯欧姆接触，而钛接触则表现出一种中间行为。
引用
@article{arxiv.1411.5842,
title = {First Principles Study of Metal Contacts to Monolayer Black Phosphorous},
author = {Anuja Chanana and Santanu Mahapatra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1411.5842},
year = {2015}
}
备注
10 Pages 13 Figures Accepted in Journal Of Applied Physics