WSe2-金属界面中是否存在P型欧姆接触？
材料科学
2016-01-20 v1
摘要
低电阻金属接触的形成是掩盖二维WSe2器件本征优异电子性质的最大挑战。我们利用包含自旋轨道耦合(SOC)效应的第一性原理能带计算和量子输运模拟，首次对单层/双层WSe2与Sc、Al、Ag、Au、Pd和Pt接触之间的界面性质进行了比较研究。层间耦合倾向于降低电子和空穴肖特基势垒高度(SBH)，并改变WSe2-Au接触的极性，而SOC主要降低空穴SBH。在不考虑SOC时，Pd接触具有最小的空穴SBH，其值不低于0.22 eV。引人注目的是，在包含SOC后，Pt接触超越Pd接触，成为p型欧姆或准欧姆接触。我们的研究为单层/双层WSe2器件中适宜金属电极的选择提供了理论基础。
引用
@article{arxiv.1508.00300,
title = {Does P-type Ohmic Contact Exist in WSe2-metal Interfaces?},
author = {Yangyang Wang and Ruoxi Yang and Ruge Quhe and Hongxia Zhong and Linxiao Cong and Meng Ye and Zeyuan Ni and Zhigang Song and Jinbo Yang and Junjie Shi and Ju Li and Jing Lu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1508.00300},
year = {2016}
}