不同电极金属与层状 GeSe 间电接触势垒的系统性研究
介观与纳米尺度物理
2019-01-11 v1
摘要
对于基于 GeSe 的电子与光电子器件，GeSe 是一种新兴的二维单硫族化物，被预言具有诸多引人注目的性质，良好的电接触对实现高器件性能及探索 GeSe 的本征物理至关重要。本文中，我们利用温度依赖输运测量与热电子发射理论，系统性研究了 GeSe 与六种常见电极金属 Al、Ag、Ti、Au、Pt 和 Pd 之间的接触势垒高度。这些金属覆盖了较宽的功函数范围（约 3.6 eV 至约 5.7 eV）。我们的研究表明，Au 与 GeSe 的价带形成最佳接触，尽管 Au 在所研究金属中并非功函数最高者。该行为明显偏离 Schottky-Mott 理论的预期，表明金属与 GeSe 界面细节的重要性。
引用
@article{arxiv.1901.03012,
title = {Systematic investigation of electrical contact barriers between different electrode metals and layered GeSe},
author = {Ranran Li and Wei Xia and Yanfeng Guo and Jiamin Xue},
journal= {arXiv preprint arXiv:1901.03012},
year = {2019}
}
备注
10 pages, 4 figures