基于范德瓦耳斯接触的 InSe 肖特基二极管
介观与纳米尺度物理
2020-07-30 v1 材料科学
摘要
二维半导体凭借其电学特性与强的光-物质相互作用，是下一代电子与光电子器件的优异候选材料。为制备具有最优电学性能的器件，拥有高质量半导体晶体以及金属-半导体界面处的理想接触至关重要。得益于范德瓦耳斯晶体的机械剥离，可在实验室中轻易获得原子级薄的高质量单晶。然而，传统金属沉积技术会引入化学无序和金属诱导的带隙中间态，导致费米能级钉扎并劣化金属-半导体界面，从而造成器件性能不佳。在本文中，我们探究了 Au-InSe 与石墨-InSe 范德瓦耳斯接触的电学接触特性，其通过将以机械剥离获得的 InSe 薄片堆叠到预图案化的 Au 或石墨电极上制得，无需光刻或金属沉积。由范德瓦耳斯接触获得的高质量金属-半导体界面使得基于 Au-InSe 肖特基势垒制造高质量肖特基二极管成为可能。我们的实验观察表明，由于 InSe 与石墨电子亲和能相近，石墨-InSe 界面的接触势垒可忽略不计，而 Au-InSe 界面则由大的肖特基势垒主导。
引用
@article{arxiv.2007.14725,
title = {InSe Schottky diodes based on van der Waals contacts},
author = {Qinghua Zhao and Wanqi Jie and Tao Wang and Andres Castellanos-Gomez and Riccardo Frisenda},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.14725},
year = {2020}
}
备注
25 pages, 13 figures, Main text and Supporting Information