通过范德瓦耳斯键合实现与二维半导体的欧姆接触
介观与纳米尺度物理
2016-02-09 v1
摘要
高接触电阻阻碍了基于 MX2 (M = Mo,W; X = S,Se,Te) 二维半导体的器件进展。在 MX2/金属接触处形成的界面态钉扎费米能级，尤其导致 p 型接触出现可观的肖特基势垒。我们展示：(i) 可用与 MX2 层范德瓦耳斯键合的二维层覆盖金属，从而移除界面态；(ii) 可选择缓冲层，使其产生具有零肖特基势垒高度的 p 型接触。我们确定了可能的缓冲层，如石墨烯、h-BN 单层或具有高电子亲和能的氧化物层（如 MoO3）。最优雅的解决方案是具有高功函数的金属性 M'X'2 层。吸附在金属上的 NbS2 单层产生高功函数接触，无论何种金属，其均给出与所有 MX2 层的无势垒接触。
引用
@article{arxiv.1601.02163,
title = {Ohmic contacts to 2D semiconductors through van der Waals bonding},
author = {M. Farmanbar and G. Brocks},
journal= {arXiv preprint arXiv:1601.02163},
year = {2016}
}