改善与二维半导体的电学接触
介观与纳米尺度物理
2021-05-25 v1 应用物理
摘要
与二维（2D）半导体（如单层 MoS_{2}）的电学接触电阻是 2D 场效应晶体管（FET）微缩化的关键瓶颈。二维半导体与三维金属接触产生独特的电流拥挤效应，导致接触电阻增加。我们建立模型以分离电流拥挤与本征接触电阻率的贡献。我们表明电流拥挤可通过掺杂与接触图形化缓解。利用 Landauer-B"uttiker 形式体系，我们表明界面的范德瓦耳斯（vdW）间隙将最终限制电学接触电阻。我们将模型与掺杂和未掺杂 MoS_{2} FET 的实验数据比较。即使电荷转移掺杂高达 > 2x10^{13} cm^{-2}，我们表明最先进的接触电阻仍比弹道极限大 100 倍。我们的研究强调需要开发高效界面以实现 < 10 {\Omega}.{\mu}m 的接触电阻，这对极度微缩器件是理想的。
引用
@article{arxiv.2105.10792,
title = {Improving Electric Contacts to Two-Dimensional Semiconductors},
author = {Saurabh V. Suryavanshi and Blanka Magyari-Kope and Paul Lim and Connor McClellan and Kirby K. H. Smithe and Chris D. English and Eric Pop},
journal= {arXiv preprint arXiv:2105.10792},
year = {2021}
}