定位原子薄半导体接触电阻的主导分量
应用物理
2023-09-12 v1 介观与纳米尺度物理
材料科学
摘要
获得良好电学接触是基于原子薄二维（2D）半导体实现器件的主要挑战之一。若干研究考察了这一障碍，但目前缺乏对接触电阻的普适理解以及降低它的根本方法。本工作中，我们揭示了经典接触电阻模型在描述 2D 材料接触时的缺陷，并基于引入横向伪结电阻分量（Rjun）给出了修正。我们结合独特的接触电阻测量，实验表征了 Ni 与单层 MoS2 接触的 Rjun。我们发现 Rjun 是未掺杂 2D 器件中接触电阻的主导分量，并表明其负责大部分的背栅偏压与温度依赖性。我们的修正模型与实验结果有助于在最小化 Rjun 的背景下理解最先进接触工程方法的底层物理。
引用
@article{arxiv.2110.02563,
title = {Pinpointing the Dominant Component of Contact Resistance to Atomically Thin Semiconductors},
author = {Emanuel Ber and Ryan W. Grady and Eric Pop and Eilam Yalon},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.02563},
year = {2023}
}