二维横向结的静电学
介观与纳米尺度物理
2019-03-28 v2
摘要
对二维材料日益增长的技术掌控使得二维横向结得以实现，其展现出的独特性质有望成为新一代二维电子与光电子器件的基础。值得注意的是，化学掺杂的 MoS 同质结、WSe-MoS 单层异质结以及 MoS 单层/多层异质结均已被制备出来。本文报道对二维横向结静电学的研究，其因屏蔽较弱而不同于体材料情形，在空间电荷区与准中性区之间产生长得多的过渡区，致使完全耗尽近似不再适用。为此，我们发展了基于保角映射技术求解二维静电学的方法，该方法广泛适用于各类结，即便在大的不对称电荷分布情形下也能给出准确结果。
引用
@article{arxiv.1802.04635,
title = {Electrostatics of Two-Dimensional Lateral Junctions},
author = {Ferney A. Chaves and David Jiménez},
journal= {arXiv preprint arXiv:1802.04635},
year = {2019}
}
备注
8 pages. 7 figures, Supplementary material