单层半导体内的横向异质结
介观与纳米尺度物理
2014-06-13 v1 材料科学
摘要
具有不同带隙的三维 (3D) 半导体之间的异质结是现代发光二极管、二极管激光器及高速晶体管的基础。在不同的二维 (2D) 半导体之间构建类似的异质结，将能够实现 2D 平面内的能带工程，并开辟材料科学、器件物理与工程学的新领域。在此，我们证明了可以在 2D 单层半导体 MoSe2 和 WSe2 之间生长出无缝的高质量面内异质结。这些通过物理气相传输利用横向异质外延生长的结在光学显微镜下可见，并显示出增强的光致发光。原子级分辨的透射电子显微镜揭示，其结构为未畸变的蜂窝状晶格，其中一种过渡金属在界面处被另一种过渡金属所取代。此类横向结的生长将允许将面内晶体管和二极管等新器件功能集成到单个原子级薄层中。
引用
@article{arxiv.1406.3122,
title = {Lateral heterojunctions within monolayer semiconductors},
author = {Chunming Huang and Sanfeng Wu and Ana M. Sanchez and Jonathan J. P. Peters and Richard Beanland and Jason S. Ross and Pasqual Rivera and Wang Yao and David H. Cobden and Xiaodong Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1406.3122},
year = {2014}
}
备注
14 pages manuscript + 12 pages supplementary information