基于灰度热扫描探针光刻的应变二维 TMD 横向异质结
介观与纳米尺度物理
2026-01-21 v1
摘要
得益于基于灰度热扫描探针光刻的一种新型应变工程方法，实现了对二维过渡金属硫族化物半导体层（TMDs）光电响应的纳米级定制。该方法允许无掩模纳米加工具有非对称电学行为的局部应变二维 MoS2-Au 横向异质结纳米阵列。将二维 MoS2 层保形转移到具有确定性小面纳米脊周期性纳米阵列特征的灰度 t-SPL 模板上。这种独特的形态在二维 TMD 材料中引起非对称和单轴应变积累，从而允许在纳米尺度上定制其电功函数，这已由开尔文探针力显微镜（KPFM）证实。通过简单地将 Au 纳米接触无掩模沉积到应变的二维 TMD 层上，利用电子响应的调制开发了具有非对称电学响应的横向异质结周期性纳米阵列。局部应变的 Au-MoS2 层显示出具有工程化载流子提取功能的非对称横向异质结，因而在可调谐超薄纳米电子学、纳米光子学和传感应用方面代表了一个有前景的平台。
引用
@article{arxiv.2505.24020,
title = {Strained 2D TMD lateral heterojunctions via grayscale thermal-Scanning Probe Lithography},
author = {G. Zambito and G. Ferrando and M. Barelli and M. Ceccardi and F. Caglieris and D. Marre and F. Bisio and F. B. de Mongeot and M. C. Giordano},
journal= {arXiv preprint arXiv:2505.24020},
year = {2026}
}
备注
29 Pages, 15 figures