二维层状 MoS2/SiC 异质结的生长与电学表征
材料科学
2014-02-11 v1
摘要
报道了在二维层状 p-MoS2 与氮掺杂 4H-SiC 之间形成的异质结的生长和电学表征。利用化学气相沉积法实现了 p 型 MoS2 薄膜在 SiC 上的直接生长，X 射线衍射测量发现 MoS2 薄膜具有结晶性。所得异质结表现出整流特性，其电流 - 电压特性与 p-n 结二极管一致。利用电容 - 电压测量确定了 p-MoS2/n-SiC 异质结 p-n 二极管的内建电压。二维层状半导体与三维 SiC 之间异质材料集成的实现，开启了一类新型异质结构。
引用
@article{arxiv.1402.1816,
title = {Growth and Electrical Characterization of 2D Layered MoS2/SiC Heterojunctions},
author = {Edwin W. Lee and Lu Ma and Digbijoy N. Nath and Choong Hee Lee and Yiying Wu and Siddharth Rajan},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.1816},
year = {2014}
}
备注
9 pages, 6 figures