MBE obtained n-CdO:Eu p-Si异质结--电子束诱导轮廓、电气与结构性质
材料科学
2025-12-10 v1
摘要
本研究报告了基于 Eu 掺杂 CdO 层制备并表征的异质结的制造与特征。这些 CdO 层是使用等离子辅助分子束蒸发 (PA MBE) 方法在掺杂 p 型硅上原位沉积的。使用 X 射线衍射和傅里叶变换红外光谱 (FTIR) 研究了镉氧化物 (CdO) 薄膜的结构和光学性质。CdO Eu 薄膜为多晶体。通过电压-电流和电子束诱导电流 (EBIC) 测量研究了由透明 n CdO Eu 和 p Si 半导体组成的 p n 异质结的电气性质。电压-电流测量显示良好的结型特性，整流比为 20。EBIC 测量允许我们计算少数载流子扩散长度以及 CdO 和 Si 界面处耗区区域的精确位置。
引用
@article{arxiv.2512.08587,
title = {MBE obtained n-CdO:Eu p-Si heterojunctions -- electron beam induced profiling, electrical and structural properties},
author = {E Przezdziecka and I Perlikowski and S Chusnutdinow and A Wierzbicka and A Adhikari and M Stachowicz and R Jakiela and E Zielony and P Wojnar and A Kozanecki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2512.08587},
year = {2025}
}