由二维层状二硫化钼构成的终极薄垂直 p-n 结
介观与纳米尺度物理
2015-04-15 v1
摘要
半导体二维晶体目前备受关注，因为它们具有成为超薄体的巨大潜力，可实现高效的静电调制，从而克服硅技术的局限性。在此，我们报告作为二维半导体器件的关键构建模块，通过引入 AuCl3 和苄基紫精 (benzyl viologen) 掺杂剂，在超薄 MoS2 中制备了垂直 p-n 结。与通常的单极 MoS2 不同，MoS2 p-n 结表现出：(i) 双极性载流子输运，(ii) 在厚度大于 8 nm 的薄膜中通过调制势垒实现电流整流，以及 (iii) 在厚度小于 8 nm 的薄膜中通过隧穿实现反向电流整流。实验发现，MoS2 中垂直 p-n 同质结的终极薄度为 3 nm，化学掺杂深度为 1.5 nm。超薄 MoS2 p-n 结展现了二维晶体在柔性、透明、高效电子和光电子应用方面的巨大潜力。
引用
@article{arxiv.1502.03606,
title = {Ultimate Thin Vertical p-n Junction Composed of 2D Layered Molybdenum Disulfide},
author = {Hua-Min Li and Daeyeong Lee and Deshun Qu and Xiaochi Liu and Jungjin Ryu and Alan Seabaugh and Won Jong Yoo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.03606},
year = {2015}
}
备注
26 pages, 6 figures