设计MoS$_2$单层的电接触：一项计算研究
材料科学
2015-06-04 v1
摘要
研究单层二硫化钼（MoS）为何在柔性纳米电子学中似乎未能发挥其有前景的潜力时，我们发现接触的性质比半导体本身起着更重要的作用。为了理解MoS/金属接触的性质，我们对接触区域的几何结构、成键和电子结构进行了从头算密度泛函理论计算。我们发现最常见的接触金属（Au）对于向单层MoS注入电子效率相当低，并提出Ti作为合适替代电极材料的代表性示例。
引用
@article{arxiv.1202.6554,
title = {Designing electrical contacts to MoS$_2$ monolayers: A computational study},
author = {Igor Popov and Gotthard Seifert and David Tománek},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.6554},
year = {2015}
}