铝接触二硫化钼中的接触诱导掺杂
介观与纳米尺度物理
2017-12-18 v1
摘要
二维半导体与金属接触之间的界面是基于二硫化钼（MoS2）等二维半导体材料的纳米电子器件的一个重要研究课题。我们报道了具有Ti/Au和Al接触的薄MoS2薄片在场效应晶体管结构中的输运性质。与广泛使用的Ti/Au接触相比，具有Al接触的薄片的电导表现出较小的栅电压依赖性，这与Al接触显著的电子掺杂效应一致。Al接触的两端电导的温度依赖性也明显小于Ti/Au接触，在后者中热电子发射和热辅助隧穿起主导作用。这一结果可用如下假设解释：Al接触处的载流子注入机制由非热激活的隧穿主导。
引用
@article{arxiv.1712.05628,
title = {Contact-induced doping in aluminum-contacted molybdenum disulfide},
author = {Y. Shimazu and K. Arai and T. Iwabuchi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1712.05628},
year = {2017}
}
备注
17 pages, 9 figures