过渡金属掺杂增强 WS2 场效应晶体管中的载流子输运
材料科学
2020-10-09 v1
摘要
高接触电阻是二维(2D)层状半导体电子器件应用的主要关注问题之一。在此,我们通过在 WS2 场效应晶体管(FETs)中引入典型过渡金属 Cu 并采用两种不同掺杂策略,探究了经金属-半导体界面的增强载流子输运:(i)利用沿沟道随机分布的 Cu 原子实现的“广义”Cu 掺杂;以及(ii)在金属-半导体界面采用超薄 Cu 层的“局域化”Cu 掺杂。与原始 WS2 FETs 相比,广义 Cu 原子掺杂与局域化 Cu 接触修饰均可因接触电阻降低 1–3 个数量级而提供肖特基到欧姆接触的转变,并进而使电子迁移率提升 5–7 倍。我们的工作表明,引入过渡金属可作为一种高效且可靠的技术,用于增强二维过渡金属硫族化物(TMD)FETs 中的载流子输运与器件性能。
引用
@article{arxiv.2001.05105,
title = {Enhanced Carrier Transport by Transition Metal Doping in WS2 Field Effect Transistors},
author = {Maomao Liu and Sichen Wei and Simran Shahi and Hemendra Nath Jaiswal and Paolo Paletti and Sara Fathipour and Maja Remskar and Jun Jiao and Wansik Hwang and Fei Yao and Huamin Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2001.05105},
year = {2020}
}
备注
Under review