二维材料氯化物分子掺杂技术：WS2 和 MoS2
材料科学
2015-04-23 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
低电阻金属 - 半导体 (M-S) 接触是二维过渡金属二硫族化合物 (TMDs) 研究中亟待解决的挑战之一。在此，我们报道了一种氯化物分子掺杂技术，该技术极大地降低了少层 WS2 和 MoS2 的接触电阻 (Rc)。掺杂后，WS2 和 MoS2 的 Rc 分别降低至 0.7 kohm*um 和 0.5 kohm*um。Rc 的显著降低归因于实现了高电子掺杂密度，从而显著减小了肖特基势垒宽度。作为概念验证，展示了高性能少层 WS2 场效应晶体管 (FETs)，其漏极电流高达 380 uA/um，开关比为 4*106，峰值场效应迁移率为 60 cm2/V*s。这种掺杂技术为降低 TMDs 中的 Rc 提供了一条高度可行的途径，为高性能二维纳米电子器件铺平了道路。
引用
@article{arxiv.1410.2563,
title = {Chloride Molecular Doping Technique on 2D Materials: WS2 and MoS2},
author = {Lingming Yang and Kausik Majumdar and Han Liu and Yuchen Du and Heng Wu and Michael Hatzistergos and P. Y. Hung and Robert Tieckelmann and Wilman Tsai and Chris Hobbs and Peide D. Ye},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.2563},
year = {2015}
}
备注
published in Nano Letters ASAP