化学掺杂多层 MoS2 晶体管的 p 型极性转变
材料科学
2016-04-28 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
兼具 n 型和 p 型 MoS2 FET 的可获得性对于涉及 MoS2 的互补器件应用是必要的。然而，由于钉扎效应导致金属-MoS2 界面处高 Rc 以及 MoS2 材料固有的强 n 型特性，MoS2 PFET 很少实现。在本研究中，我们通过可控化学掺杂实现了高性能多层 MoS2 PFET，其在室温下具有优异的 107 开关比和最大 72 cm2/Vs 的空穴迁移率，这些值在 133K 时进一步提升至 109 和 132 cm2/Vs。此外，我们揭示出大的 Rc 阻碍了 MoS2 FET 从 n 型到 p 型的极性转变，同时沟道 Rs 限制了 PFET 的 Ion。因此表明，降低高功函数金属-MoS2 界面的 Rc 以及对沟道进行 p 型掺杂是实现高性能 MoS2 PFET 所必需的。基于该高性能 PFET，我们通过对 NFET 和 PFET 的集成成功演示了 MoS2 CMOS 反相器。
引用
@article{arxiv.1604.08162,
title = {P-type polar transition of chemically doped multilayer MoS2 transistor},
author = {Xiaochi Liu and Deshun Qu and Jungjin Ryu and Faisal Ahmed and Zheng Yang and Daeyeong Lee and Won Jong Yoo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1604.08162},
year = {2016}
}
备注
31 pages,5 figures, and supporting information