多层 MoS2 场效应晶体管的分子掺杂：面电阻与接触电阻的降低
材料科学
2014-11-05 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
本文首次研究了聚乙烯亚胺（PEI）对多层 MoS2 场效应晶体管的掺杂。实验实现了面电阻降低 2.6 倍，接触电阻降低 1.2 倍。电学特性的增强还体现在开态电流提高了 70%，外禀场效应迁移率提高了 50%。阈值电压也证实了分子掺杂后发生了负向偏移。所有研究均证明了 PEI 分子掺杂在 MoS2 晶体管中的可行性，及其在层状结构半导体二维晶体中的潜在应用。
引用
@article{arxiv.1307.7643,
title = {Molecular Doping of Multilayer MoS2 Field-effect Transistors: Reduction in Sheet and Contact Resistances},
author = {Yuchen Du and Han Liu and Adam T. Neal and Mengwei Si and Peide D. Ye},
journal= {arXiv preprint arXiv:1307.7643},
year = {2014}
}