湿法聚合物转移单层 MoS2应变与电荷转移掺杂评估：对场效应管的意义
材料科学
2025-04-07 v1
摘要
二维材料通过应变和掺杂工程提供了异常的电子和光学性质的可调性。然而，湿法化学2D薄膜转移过程（如湿法刻蚀和表面能辅助方法）期间无意引入的聚合物残留物仍是关键且尚未被探索的因素。本研究系统性地研究了此类残留物对单层 MoS₂光学和电性质的影响，采用拉曼光谱和光致发光光谱进行分析。我们揭示了湿法刻蚀转移制备的薄膜中聚合物残留物引起的distinct应变和掺杂行为：PMMA 存在区域表现出双向拉伸应变和p型掺杂，而 PMMA 免疫区域表现出压缩应变。相比之下，表面能辅助转移方法由于残留物的相互作用，在转移薄膜中引入压缩应变和n型掺杂。场效应管测量结果支持了这些发现，显示出聚合物残留物影响的电荷传输调制。值得注意的是，表面能辅助技术最小化了转移引起的缺陷，凸显了其在制造高性能二维光电子器件方面的优势。这些结果凸显了转移方法在调控光电性质方面的关键作用，并为优化二维材料在先进技术中的集成提供了实用见解。
引用
@article{arxiv.2504.03275,
title = {Evaluation of strain and charge-transfer doping in wet-polymeric transferred monolayer MoS2: implications for field effect transistors},
author = {C. Abinash Bhuyan and Kishore K. Madapu and K. Prabhakar and Jagnaseni Pradhan and Arup Dasgupta and S R Polaki and Sandip Dhara},
journal= {arXiv preprint arXiv:2504.03275},
year = {2025}
}
备注
20 Pages, 9 figures