MoS2 单层聚合物转移方法的缺陷对比研究
材料科学
2021-01-19 v1
摘要
化学气相沉积（CVD）生长的单层 MoS2 的无缺陷转移对于二维器件制造以及需要最小化衬底效应的各类研究的基础视角而言十分重要。在众多转移技术中，两种以聚合物为载体的知名技术是湿法转移技术和表面能辅助转移技术。本工作中，我们通过这两种转移方法将同一 CVD 生长的单层 MoS2 转移到相似衬底上，并分别利用拉曼和光致发光（PL）光谱探测转移过程中应变与缺陷的介入。我们发现常规且常用的湿法转移技术因 KOH 污染而使单层退化。相比之下，使用表面能辅助转移方法转移的单层具有与原始生长 MoS2 层相当的结构完整性与光学质量。与湿法工艺相比，拉曼光谱研究表明表面能辅助技术中记录到无应变转移。
引用
@article{arxiv.2101.06996,
title = {The comparative defect study on the polymeric transfer of MoS2 monolayers},
author = {C. Abinash Bhuyan and Kishore K. Madapu and Sandip Dhara},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.06996},
year = {2021}
}
备注
8 pages, 2 figures