利用聚合物电解质增强单层 MoS2 晶体管的迁移率并实现高效门控
材料科学
2015-06-05 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报告了使用由聚环氧乙烷 (PEO) 和高氯酸锂 (LiClO4) 组成的薄层聚合物电解质作为接触势垒降低剂和沟道迁移率增强剂，对单层二硫化钼 (MoS2) 器件进行的电学表征。我们发现，在 Si/SiO2 上制造的裸 MoS2 器件（无聚合物电解质）具有较低的沟道迁移率和较大的接触电阻，这两者都严重限制了器件的场效应迁移率。沉积在器件顶部的薄层 PEO/LiClO4 不仅显著降低了接触电阻，还提高了沟道迁移率，使器件的场效应迁移率提高了三个数量级。当将聚合物电解质用作门介质时，由于强烈的门 - 沟道耦合，MoS2 场效应晶体管表现出优异的器件特性，如接近理想的亚阈值摆幅和 10^6 的开关比。
引用
@article{arxiv.1207.4824,
title = {Mobility enhancement and highly efficient gating of monolayer MoS2 transistors with Polymer Electrolyte},
author = {Ming-Wei Lin and Lezhang Liu and Qing Lan and Xuebin Tan and Kulwinder Dhindsa and Peng Zeng and Vaman M. Naik and Mark Ming-Cheng Cheng and Zhixian Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1207.4824},
year = {2015}
}
备注
17 pages, 4 figures, accepted by J. Phys. D