离子液体门控提升少层 MoS2 场效应晶体管中的载流子迁移率
介观与纳米尺度物理
2013-04-18 v1 材料科学
摘要
我们报道了由双层和少层 MoS2 构成的离子液体 (IL) 门控场效应晶体管 (FETs) 的制备。我们的输运测量表明，在 250 K 时，离子液体门控器件中的电子迁移率约为 60 cm2V-1s-1，显著超过了可比的后门控器件。IL-FETs 显示出迁移率从 180 K 时的约 100 cm2V-1s-1 增加到 77 K 时的约 220 cm2V-1s-1，这与通过四端测量确定的真实沟道迁移率非常吻合；同时表现出双极性行为，电子（空穴）的高开/关比 >107 (104)，以及在 250 K 时约 50 mV/dec 的近理想亚阈值摆幅。我们将观察到的性能提升，特别是受声子限制的载流子迁移率的增加，归因于超薄离子液体介电层引起的能带弯曲降低了源极和漏极电极处的 Schottky 势垒。
引用
@article{arxiv.1304.4669,
title = {Improved Carrier Mobility in Few-Layer MoS2 Field-Effect Transistors with Ionic-Liquid Gating},
author = {Meeghage Madusanka Perera and Ming-Wei Lin and Hsun-Jen Chuang and Bhim Prasad Chamlagain and Chongyu Wang and Xuebin Tan and Mark Ming-Cheng Cheng and David Tománek and Zhixian Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1304.4669},
year = {2013}
}
备注
29 pages, 7 figures, ACS Nano, ASAP, 2013