超薄通道双栅极Si MOSFET的电子迁移率与磁传输特性研究
材料科学
2009-11-11 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
我们报告了双栅极Si MOSFET在室温和低温传输特性的详细研究，Si沉积层厚度范围为7-17 nm。该器件采用SOI晶圆粘接工艺制成，利用高度掺杂金属背栅极。我们观察到在对称栅极偏置下室温迁移率增强效应，这是体积反转/积聚效应的特征。我们检测到在300 K和1.6 K时，Si沉积层顶部和背面界面之间存在迁移率的非对称性，这被解释为由于界面粗糙度不同的原因。我们报告的器件在低温峰值迁移率随Si沉积层厚度单调增大，最大低温迁移率达到1.9 m²/Vs，该值测得于16.5 nm厚的器件。我们在磁传输数据中观察到根据沉积层厚度和栅极偏置，出现单峰或双峰的洛伦兹能级填充因子行为。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0506073,
title = {Electron Mobility and Magneto Transport Study of Ultra-Thin Channel Double-Gate Si MOSFETs},
author = {M. Prunnila and J. Ahopelto and F. Gamiz},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0506073},
year = {2009}
}