具有附加杂质的二维电子气的低温输运性质
介观与纳米尺度物理
2015-11-26 v1
摘要
我们研究了嵌入二维电子气区域中的背景杂质对磁输运的影响。这些杂质是通过在高质量 GaAs/AlGaAs 异质结构的单量子阱中均匀掺入 Si 原子实现的。以这种方式生长了几种具有不同 Si 原子密度的材料。在低温下，迁移率随杂质密度增加而单调下降。在掺入杂质的材料中，观察到随温度升高的效应。一方面，出现迁移率极小值，标志着由于声学声子导致的散射增强与由于杂质驱动的电导导致的迁移率增强之间的转变。发生转变的温度随杂质密度增加而降低。另一方面，掺入的杂质引起了电子密度的非单调温度依赖关系。这种变化幅度随杂质密度增加而增大。仅考虑电子-电子相互作用对电导率的修正理论无法解释我们的结果。
引用
@article{arxiv.1511.08046,
title = {Low-temperature transport properties of a two-dimensional electron gas with additional impurities},
author = {E. P. Rugeramigabo and L. Bockhorn and R. J. Haug},
journal= {arXiv preprint arXiv:1511.08046},
year = {2015}
}
备注
6 pages, 5 figures