SiGe/Si/SiGe 量子阱中的超高迁移率二维电子气
介观与纳米尺度物理
2015-03-06 v2 强关联电子
摘要
我们报道了在 SiGe/Si/SiGe 量子阱中观测到电子气，其最高迁移率达 240 m^2/Vs，显著高于此前在硅基结构中报道的结果。使用 SiO 而非 Al_2O_3 作为绝缘体，我们获得了大幅降低且接近零的阈值电压。除了高迁移率异质结构中众所周知的主要小角度散射外，观测到的电导率线性温度依赖性揭示了短程随机势的存在。
引用
@article{arxiv.1410.6019,
title = {Ultra-high mobility two-dimensional electron gas in a SiGe/Si/SiGe quantum well},
author = {M. Yu. Melnikov and A. A. Shashkin and V. T. Dolgopolov and S. -H. Huang and C. W. Liu and S. V. Kravchenko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.6019},
year = {2015}
}
备注
as published. arXiv admin note: substantial text overlap with arXiv:1409.2712