原子层沉积栅介质对硅/SiGe 高迁移率二维电子调制的研究
介观与纳米尺度物理
2007-05-23 v1
摘要
制造了使用原子层沉积 (ALD) Al₂O₃ 作为栅介质的金属-氧化物-半导体场效应晶体管 (MOSFET)，制造于 Si/Si₁₋ₓGeₓ 异结构上。低温载流子浓度可控制地调节二维电子系统 (2DES) 中的载流子密度，从 2.5×10¹¹ cm⁻² 调到 4.5×10¹¹ cm⁻²，几乎没有栅漏电流。磁导传输数据显示，在栅偏置下 2DES 的均匀耗尽。ALD 介质的垂直调制特性优于使用 Schottky 势垒或由等离子体增强化学蒸发沉积 (PECVD) 形成的 SiO₂ 介质。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0504484,
title = {Modulation of the high mobility two-dimensional electrons in Si/SiGe using atomic-layer-deposited gate dielectric},
author = {K. Lai and P. D. Ye and W. Pan and D. C. Tsui and S. A. Lyon and M. Muhlberger and F. Schaffler},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0504484},
year = {2007}
}
备注
3 pages Revtex4, 4 figures