以原子层沉积 Al2O3 作为顶栅介质的 MoS2 双栅 MOSFET
材料科学
2013-12-04 v1
摘要
我们展示了在二维 (2D) 层状结构二硫化钼 (MoS2) 晶体上的原子层沉积 (ALD) 高k介质集成，以及以 ALD Al2O3 作为顶栅介质的 MoS2 双栅 n 沟道 MOSFET。我们对 MOSFET 结构的 C-V 研究表明，2D MoS2 晶体与 ALD Al2O3 之间具有良好的界面。在 Vds=2V、沟道宽度为 3 μm、沟道长度为 9 μm 且顶栅长度为 3 μm 的条件下，测得使用背栅和顶栅的最大漏极电流分别为 7.07mA/mm 和 6.42mA/mm。我们使用背栅控制实现了 517 cm^2/Vs 的最高电子场效应迁移率。最高电流开关比超过 10^8。
引用
@article{arxiv.1112.4397,
title = {MoS2 Dual-Gate MOSFET with Atomic-Layer-Deposited Al2O3 as Top-Gate Dielectric},
author = {Han Liu and Peide D. Ye},
journal= {arXiv preprint arXiv:1112.4397},
year = {2013}
}
备注
submitted to IEEE Electron Device Letters